-Tecnolog?as avanzadas ofrecen mayor rendimiento y eficacia, al tiempo que reducen la complejidad en la fabricaci?n y el diseño de microprocesadores-
AMD e IBM detallan resultados preliminares del uso de inmersi?n y constante diel?ctrica ultra baja en chips de 45nm
-Tecnolog?as avanzadas ofrecen mayor rendimiento y eficacia, al tiempo que reducen la complejidad en la fabricaci?n y el diseño de microprocesadores-
SAN FRANCISCO–13 de diciembre de 2006– En la Reuni?n Internacional de Dispositivos Electr?nicos (IEDM) realizada hoy, IBM (NYSE: IBM) y AMD (NYSE: AMD) presentaron documentos que describen el uso de litograf?a de inmersi?n, constante diel?ctrica de interconexi?n ultra baja y diversas t?cnicas mejoradas de tensi?n del transistor para aplicar a la generaci?n de procesos de microprocesadores de 45nm. AMD e IBM esperan que los primeros productos de 45nm que utilicen litograf?a de inmersi?n y constante diel?ctrica de interconexi?n ultra baja est?n disponibles a mediados de 2008
"Al ser los primeros fabricantes de microprocesadores en anunciar el uso de la litograf?a de inmersi?n y la constante diel?ctrica de interconexi?n ultra baja para la generaci?n de tecnolog?a de 45nm, AMD e IBM contin?an marcando el rumbo de la innovaci?n en tecnolog?a de procesos de microprocesadores", señal? Nick Kepler, vicepresidente de desarrollo de tecnolog?a l?gica de AMD. "La litograf?a de inmersi?n nos permitir? ofrecer mayor definici?n en materia de diseño de microprocesadores y consistencia en la fabricaci?n, adem?s de incrementar la capacidad de brindar a nuestros clientes productos de alta sofisticaci?n que son l?deres en la industria. La constante diel?ctrica de interconexi?n ultra baja aumentar? a?n m?s el ?ndice de rendimiento por vatio del microprocesador, l?der en la industria, para beneficio de todos nuestros clientes. Este anuncio es otra prueba de la exitosa colaboraci?n de IBM y AMD en el campo de la investigaci?n y el desarrollo".
La actual tecnolog?a de proceso utiliza litograf?a convencional, la cual tiene importantes limitaciones en la definici?n de diseños de microprocesadores m?s all? de la generaci?n de tecnolog?a de proceso de 65nm. La litograf?a de inmersi?n emplea un l?quido transparente para llenar el espacio entre el lente de proyecci?n del sistema de litograf?a de repetici?n step-and-repeat y la oblea que contiene cientos de microprocesadores. Con este importante adelanto en la litograf?a se obtiene mayor profundidad de foco y mayor fidelidad de imagen, lo que puede aumentar la eficacia en materia de fabricaci?n y el rendimiento a nivel del chip. Esta t?cnica de inmersi?n representar? una ventaja de fabricaci?n para AMD e IBM respecto de los competidores que no pueden desarrollar un proceso de litograf?a de inmersi?n del tipo de producci?n para el lanzamiento de microprocesadores de 45nm. Por ejemplo, el rendimiento de una celda SRAM (memoria est?tica de acceso aleatorio) muestra mejoras de aproximadamente 15% debido a esta mayor capacidad de proceso, sin necesidad de recurrir a t?cnicas de doble exposici?n m?s costosas.
Adem?s, el uso de una constante diel?ctrica porosa ultra baja para reducir la capacidad de interconexi?n y la demora en el cableado es un paso cr?tico para mejorar a?n m?s el rendimiento del microprocesador y reducir el desperdicio de energ?a. Este avance es posible gracias al desarrollo de una integraci?n del proceso de constante diel?ctrica ultra baja l?der en la industria que reduce la constante diel?ctrica de la diel?ctrica de interconexi?n manteniendo la solidez mec?nica. La incorporaci?n de una constante diel?ctrica de interconexi?n ultra baja muestra una reducci?n de 15% en la demora vinculada al cableado, en comparaci?n con la constante diel?ctrica baja convencional.
"La introducci?n de la litograf?a de inmersi?n y la constante diel?ctrica de interconexi?n ultra baja en 45nm es un primer ejemplo de la exitosa transferencia de tecnolog?a desde nuestro innovador trabajo de investigaci?n en el Albany Nanotech Center hacia la avanzada l?nea de desarrollo y fabricaci?n de 300mm de IBM en East Fishkill, Nueva York, y la avanzada l?nea de fabricaci?n de 300mm de AMD en Dresden, Alemania", señal? Gary Patton, vicepresidente de desarrollo de tecnolog?a del Centro de investigaci?n y desarrollo de semiconductores de IBM. "La exitosa integraci?n de tecnolog?as l?deres con AMD y nuestros socios demuestra la solidez de nuestro modelo de innovaci?n en colaboraci?n".
La mejora continua en las t?cnicas de tensi?n del transistor por parte de AMD e IBM ha permitido el continuo incremento del rendimiento del transistor, superando los problemas de escalamiento vinculados a la geometr?a y presentes en toda la industria, asociados a la migraci?n a tecnolog?as de proceso de 45nm. A pesar de la mayor densidad de embalaje de los transistores de la generaci?n de 45nm, IBM y AMD han logrado un aumento de 80% en la corriente m?xima del transistor de canal p y de 24% en la corriente m?xima del transistor de canal n, en comparaci?n con los transistores no sometidos a tensi?n. Estos logros resultan en el mayor rendimiento de CMOS (semiconductor complementario de ?xido met?lico) informado hasta la fecha en una tecnolog?a de proceso de 45nm.
IBM y AMD vienen colaborando desde enero de 2003 en el desarrollo de tecnolog?as de fabricaci?n de semiconductores de pr?xima generaci?n. En noviembre de 2005, ambas empresas anunciaron la extensi?n de sus actividades conjuntas de desarrollo hasta el año 2011 cubriendo las generaciones 32nm y 22nm de tecnolog?a de proceso.
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