Intel Completa La Fase del Proceso de Desarrollo de 32 nanómetros de Próxima Generación
México, D.F., 11 de diciembre de 2008 – Intel Corporation ha completado la fase de desarrollo de su proceso de fabricación de circuitos de 32 nanómetros (32 milmillonésimas partes de un metro) de próxima generación, reduciendo así todavía más los circuitos de los procesadores. Para el último cuarto de 2009 la compañía estará lista para producir esta futura generación, usando transistores aún más eficientes energéticamente, más densos y con un mejor desempeño..
Intel ofrecerá más detalles técnicos sobre la tecnología de procesamiento de 32 nm, así como otros temas, durante su participación en el International Electron Devices (IEDM), que se celebrará la semana entrante en San Francisco, California. La compañía concluirá la fase de desarrollo de la tecnología de procesamiento de 32 nm y estará lista para su producción en el último cuarto de 2009, de modo que Intel continuará con su ritmo sostenido de producción e innovación de diferentes productos, conocida como la estrategia “tic tac”.
Este plan gira en torno a la introducción de toda una nueva micro arquitectura de procesadores, combinada con un proceso de fabricación de punta que se renueva aproximadamente cada 12 meses, siendo esto un esfuerzo sin comparación en la industria. Con la producción de chips de 32 nm el próximo año, Intel alcanzará su meta por cuarto año consecutivo.
Durante la presentación de Intel sobre la tecnología de 32 nm, anunciará innovaciones como la incorporación de tecnología high-k + en la puerta de metal, litografía de inmersión de 193 nm para capas de estandarización críticas y técnicas de prueba de transistores mejoradas. Estas tecnologías mejoran el desempeño y la eficiencia energética de los procesadores de Intel, así mismo el proceso de fabricación permite un desempeño y densidad de transistor más elevados que cualquier tecnología de 32 nm conocida actualmente en la industria.
“Nuestra experiencia en innovación y los productos resultantes nos han ayudado a ampliar nuestro liderazgo en el desempeño computacional y duración de batería para las notebooks basadas en tecnología Intel así como para servidores y computadoras de escritorio”, afirmó Mark Bohr, Intel Senior Fellow y director de Arquitectura de Procesos e Integración. “Como hemos mostrado este año, la estrategia de fabricación y ejecución también nos han dado la posibilidad de crear líneas de productos completamente nuevas para dispositivos móviles para internet (MIDs, Mobile Internet Devices), equipos de electrónica de consumo (CE – Consumer Electronics) y computadoras embebidas y netbooks”, agregó.
Otras novedades que presentará Intel en el IEDM serán un sistema de baja potencia en la versión chip del proceso de 45 nm de Intel, transistores basados en semiconductores compuestos, ingeniería de sustrato para mejorar el desempeño de los transistores de 45 nm, integrando el pulido mecánico y químico al nódulo de 45 nm, e integrando un abanico de moduladores fotónicos de silicio.
Así mismo, Intel también participará en un curso sobre tecnología CMOS de 22 nm.
