TOSHIBA Y SANDISK INAUGURAN NUEVA FAB 4 DE SEMICONDUCTORES DE 300NM PARA MEMORIA NAND FLASH EN YOKKAICHI OPERATIONS
Se espera que la nueva planta sea la m?s grande del mundo
Yokkaichi y Tokio, 12 de septiembre de 2007 – Toshiba Corporation y SanDisk® Corporation celebraron una ceremonia tradicional y una recepci?n por la apertura de Fab 4, la planta de fabricaci?n de semiconductores de 300mm m?s reciente en Yokkaichi Operations de Toshiba, en la Prefectura de Mie, Jap?n.
Respondiendo a la creciente demanda de memoria NAND flash utilizada en una amplia variedad de aplicaciones digitales, incluyendo reproductores de medios digitales, tel?fonos m?viles, computadoras personales y tarjetas de memoria, Toshiba inici? en agosto de 2006 la construcci?n de Fab 4.
Se espera que Fab 4 inicie la producci?n en masa en diciembre de 2007 y alcance una capacidad de producci?n de 80,000 semiconductores al mes en el segundo semestre de 2008. La fab a?n tiene espacio para ampliar su capacidad y una mayor inversi?n podr?a elevar la producci?n a 210,000 semiconductores al mes, en respuesta al incremento que se proyecta en la demanda del mercado a futuro. En un inicio, Fab 4 emplear? la innovadora tecnolog?a de proceso de 56 nan?metros (nm) y hay planes para hacer la transici?n gradual a la tecnolog?a de 43 nm, a partir de marzo de 2008.
“Toshiba y nuestro socio SanDisk est?n contentos de celebrar la construcci?n de esta nueva planta”, asegur? el Shozo Saito, Vicepresidente Corporativo de Toshiba Corporation y Presidente & CEO de Semiconductor Company de Toshiba. “Fab 4 incluir? capacidades de manufactura de clase mundial, tanto en escala como en productividad. Nos ayudar? a fortalecer nuestro liderazgo en el mercado global de memorias NAND flash de m?s alta densidad, y ofrecer?n un motor de crecimiento poderoso a ambas compañ?as”.
El Dr. Eli Harari, Director Ejecutivo y Presidente de SanDisk Corporation, afirm?, “Fab 4 es un testimonio del ?xito de la excelente sociedad y compromiso a largo plazo entre Toshiba y SanDisk. El enorme tamaño y alcance tecnol?gico de Fab 4 reflejan nuestra confianza y optimismo en el futuro, y creemos que nos permitir? satisfacer la creciente demanda de almacenamiento flash de nuestros clientes globales en los pr?ximos años”.
Fab 4 est? diseñado para reducir el impacto en las operaciones a causa de desastres naturales. El edificio se construy? usando la estructura m?s reciente que resiste el impacto de los terremotos, el cual est? diseñado para reducir la fuerza de los temblores en hasta dos terceras partes y despliega la compensaci?n de energ?a m?ltiple (MPC) que es activada al instante por cualquier p?rdida repentina y moment?nea de la energ?a el?ctrica que provoca un rel?mpago, por ejemplo.
Toshiba patrocin? la construcci?n del edificio Fab 4, y Flash Alliance, Ltd, una empresa conjunta de Toshiba y SanDisk establecida en Julio de 2006, 50.1% propiedad de Toshiba y 49.9% de SanDisk, est? financiando el avanzado equipo de manufactura que se instala en Fab 4.
La nueva planta permitir? a Toshiba y SanDisk desplegar los avances m?s recientes en tecnolog?a de procesos y la tecnolog?a de celdas de m?ltiples niveles, as? como apoyar a las compañ?as a fortalecer m?s su competitividad y asegurar su liderazgo continuo en el mercado de memoria flash NAND.
Perfil de Fab 4 en Yokkaichi Operations
– Estructura del Edificio: Concreto con estructura de acero, cinco pisos (dos pisos con espacios limpios)
– ?rea de construcci?n: 35,500m2 aprox. (382,000 pies cuadrados aprox.)
– ?rea del piso: 181,000m2 aprox. (1,948,000 pies cuadrados aprox.)
– Inicio de la construcci?n: Agosto de 2006
– T?rmino de la construcci?n: Julio de 2007
– Inicio de la producci?n en masa: Diciembre 2007(planeado)
Perfil de Yokkaichi Operations
– Ubicaci?n: 800 Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi-shi, Mie Prefecture, Jap?n
– Fundaci?n: 1992
– Director General: Noriyoshi Tozawa
– Empleados: Aprox. 3,200
– ?rea total: 312,300m2 aprox. (3,362,000 pies cuadrados aprox.)
– ?rea total del piso: 460,000m2 aprox. (4,951,000 pies cuadrados aprox.) (incluyendo Fab 4)
Perfil de Flash Alliance, Ltd.
– Ubicaci?n: 800 Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi-shi, Mie Prefecture, Jap?n
– Fundaci?n: Julio de 2006
– Capitalizaci?n: 3 millones de yenes
– Holding: Toshiba: 50.1%, SanDisk: 49.9%
