La compa??a presenta el primer chip flash NAND comercial de 3 bits por celda de 16 gigabits
SANDISK ANUNCIA IMPORTANTE AVANCE CON LA NUEVA TECNOLOG?A DE MEMORIA FLASH NAND de 3 BITS POR CELDA (x3)
La compa??a presenta el primer chip flash NAND comercial de 3 bits por celda de 16 gigabits
SAN FRANCISCO, California, 18 de febrero de 2008 ? Logrando un nuevo avance en el desarrollo de memoria flash, SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) anunci? que espera comenzar la producci?n en masa de la primera memoria flash NAND de tres bits por celda (x3) del mundo en marzo o abril de 2008.
Esta memoria de 16 gigabits (GB) emplea la tecnolog?a flash est?ndar de 56 nan?metros (nm) de SanDisk y ofrece 20% m?s dados por oblea en el mismo nodo, en comparaci?n con la NAND Multi-Level Cell (MLC) est?ndar (2 bits por celda). x3 ofrece mayor eficiencia en la manufactura y menores costos de los dados por la misma inversi?n de capital. La nueva arquitectura flash x3 ha estado en desarrollo durante los dos ?ltimos a?os y emplea las innovaciones de dise?o m?s avanzadas de la compa??a para lograr el mismo desempe?o y alta confiabilidad encontrada en los chips de 2 bits por celda de la firma. La tecnolog?a se desarroll? junto con Toshiba, que comparte con SanDisk el desarrollo y fabricaci?n de las memorias flash avanzadas.
Al respecto, Khandker N. Quader, vicepresidente de dise?o de memorias flash y desarrollo de productos de SanDisk, se?al?: ?la innovadora arquitectura All Bit Line (ABL) patentada con los algoritmos de programaci?n propietarios y los esquemas de administraci?n de almacenamiento de datos de m?ltiples niveles se utilizaron para superar los retos de desarrollar este chip sin sacrificar el desempe?o y la confiabilidad, preparando as? el camino para el uso de 3x en muchas l?neas de nuestros productos. Creemos que 3x es un importante avance comercial para la memoria flash que ir? m?s all? de la Ley de Moore en ?sta y las futuras generaciones del almacenamiento flash NAND?.
SanDisk cree que la introducci?n de la tecnolog?a de 3 bits por celda con una velocidad de escritura similar a la memoria MLC actual le permitir? responder a las crecientes demandas del mercado de memoria flash de densidad m?s alta para una amplia serie de aplicaciones a un costo considerablemente menor en comparaci?n con MLC de 2 bits por celda sobre la misma tecnolog?a.
