Las compañías comienzan a exhibir la nueva e innovadora tecnología de memoria a sus clientes

INTEL Y STMICROELECTRONICS ENTREGAN LOS PRIMEROS PROTOTIPOS DE MEMORIA CON CAMBIO DE FASE DE LA INDUSTRIA

Las compañías comienzan a exhibir la nueva e innovadora tecnología de memoria a sus clientes

SANTA CLARA, California, y GINEBRA, Suiza, 6 de febrero del 2008 – Intel Corporation y STMicroelectronics establecieron hoy un hito en la industria al comenzar a entregar muestras de un prototipo de un producto futuro que empleará una nueva e innovadora tecnología de memoria llamada Phase Change Memory (PCM, memoria con cambio de fase). Los prototipos son los primeros productos funcionales de silicio que se entregarán a clientes para su evaluación, lo que acercará la tecnología un paso en su adopción.

El dispositivo de memoria, con nombre en código “Alverstone”, utiliza PCM, nueva tecnología de memoria prometedora que ofrece muy altas velocidades de lectura y escritura con un menor consumo de energía que la memoria flash convencional, y permite la alteración de bits que se ve normalmente en la memoria RAM. PCM ha sido por largo tiempo un tema de debate para la investigación y el desarrollo, y con “Alverstone”, Intel y STMicroelectronics ayudan a llevar la tecnología al mercado.

“Éste es el avance en memoria no volátil más significativo en 40 años”, dijo Ed Doller, director de tecnología designado de Numonyx, el nuevo nombre de la compañía de memoria flash en construcción de STMicroelectronics e Intel. “Han habido muchos intentos para encontrar y desarrollar nuevas tecnologías de memoria no volátil; a pesar de todos los conceptos, PCM ofrece la solución más atractiva (e Intel y STMicroelectronics ponen hoy la tecnología PCM en las manos de los clientes). Éste es un acontecimiento importante para la industria y para nuestras compañías”.

En noticias relacionadas, expertos en tecnología de Intel y STMicroelectronics presentaron esta semana un documento de investigación en la International Solid States Circuits Conference (ISSCC, Conferencia internacional de circuitos de estado sólido), el cual describe un adelanto más en la tecnología PCM. Juntas, las compañías crearon el primer dispositivo de memoria de alta densidad de celdas multinivel (MLC, por sus siglas en inglés) del mundo, que emplea la tecnología PCM. El cambio de un bit por celda a MLC ofrece también una densidad mucho mayor a un costo más bajo por Mbyte, haciendo de la combinación de MLC y PCM un adelanto poderoso.

En el 2003, Intel y STMicroelectronics formaron un programa de desarrollo conjunto (JDP, por sus siglas en inglés) para centrarse en el desarrollo de la memoria con cambio de fase (PCM). Anteriormente, el programa de desarrollo conjunto demostró arreglos de memoria de 8 MB con el proceso de 180 nm en la conferencia VLSI 2004 y dio a conocer por vez primera el dispositivo de memoria Alverstone 90 nm de 128 Mbits en el Simposio VLSI 2006. Alverstone y futuros productos basados en el programa de desarrollo conjunto se harán parte de Numonyx, nueva compañía independiente de semiconductores creada a través de un convenio entre STMicroelectronics, Intel y Francisco Partners firmado en mayo del 2007. El enfoque estratégico de la nueva compañía se centrará en proveer soluciones de memoria completas para diversos dispositivos de consumo e industriales, incluyendo teléfonos celulares, reproductores de MP3, cámaras digitales, computadoras y otros equipos de alta tecnología. Las compañías han programado concretar la transacción en el primer trimestre del 2008.

En el 2007, el mercado de memorias que incluye productos DRAM, flash y otros como EEPROM, ascendió a 61 mil millones de dólares, según la firma de investigación de la industria Web-Feet Research, Inc. Las reducciones en los costos de la tecnología de memoria han marchado tradicionalmente al paso de la “Ley de Moore”, donde la densidad se duplica cada 18 meses con cada reducción de la litografía. A medida que las tecnologías de memoria RAM y flash enfrenten limitaciones de escala en la próxima década, los costos de la memoria PCM disminuirán a un ritmo más acelerado. La aparición de la memoria PCM de celdas multinivel reducirá aún más el costo por bit de la tecnología PCM comparada con las tecnologías actuales. Por último, combinando la alteración de bits de la memoria DRAM, la no volatilidad de la memoria flash, la rápida velocidad de lectura de la memoria NOR y la rápida velocidad de escritura de la memoria NAND, PCM tiene la posibilidad de abarcar todo el mercado de la memoria y de ser un motor de impulso clave para el crecimiento a futuro en la próxima década.

Alverstone es un dispositivo de 128 Mb construido con el proceso de 90 nm y tiene la finalidad de permitir a los usuarios de memoria evaluar las características de PCM, lo que permitirá además a los usuarios de dispositivos celulares y embebidos aprender más acerca de PCM y cómo se puede incorporar en sus diseños futuros.